Сравнить цены на книгу: Труды ФТИАН. Том 20. Квантовые компьютеры, микро- и наноэлектроника. Физика, технология, диагностика; Наука, 2009

Издатель: Наука
ISBN: 978-5-02-036976-4
EAN: 9785020369764
Книги: Электротехника. Электроника
ID:1791546

Где купить

Рейтинг:

(0/5)

Отзывы (0) Оставить отзыв

Описание Характеристики Цены Отзывы (0)

Сравнить цены

Последняя известная цена от 8 р. до 20 р. в 4 магазинах

В данный момент у нас нет информации о наличии данного товара в магазинах.
Вы можете поискать его на других площадках:

Магазин	Цена	Наличие
Лабиринт 5/5 ООО "ЛАБИРИНТ.РУ" ИНН: 7728644571	13 р. (-35%) Заказ от 800 рублей мы привезем бесплатно!	Наличие уточняйте 12.05.2024

Яндекс.Маркет 5/5 ООО "ЯНДЕКС" ИНН: 7736207543	Кэшбэк в Яндекс.Маркет до 3.8% ✔ Промокоды на скидку	Наличие уточняйте 03.05.2024

OMA BY 5/5 Информация о компании	Крупнейшая в Беларуси оптовая и розничная торговая сеть строительных материалов и инструментов

Algo BY 5/5 Информация о компании	Мы предлагаем профессиональную консультацию, вежливое обслуживание, честные цены и быструю и аккуратную доставку ✔ Промокоды на скидку

OZ BY 5/5 Информация о компании	Мы трудимся, чтобы предложить максимальный выбор: товаров, способов оплаты, вариантов доставки — и лучший сервис ✔ Промокоды на скидку

24shop BY 5/5 Информация о компании	24shop - это возможность приобрести все необходимое в одном месте

Домотехника 5/5 Информация о компании

21vek BY 5/5 Информация о компании	Быстрая доставка. Мы доставляем товар по всей Беларуси в удобное для вас время ✔ Промокоды на скидку

Описание

Сборник, посвященный 20-летию Физико-технологического института РАН, включает в себя статьи по актуальным проблемам микро- и наноэлектроники, микро- и наноэлектромеханики и твердотельных квантовых компьютеров. Рассмотрены перспективы реализации полномасштабных квантовых компьютеров на ионных ловушках в твердотельных структурах, проанализирован перенос электрона в одномерных многоямных структурах. Особое внимание уделено важнейшим вопросам физики и моделирования нанотранзисторов (кремниевые в ультратонком кремнии на изоляторе, туннельные, с графеновым каналом и др.). Исследованы межподзонные оптические переходы в структурах с разрывом запрещенной зоны. Представлены статьи по моделированию электромиграционного разрушения тонкопленочных проводит ков, прочности границы соединенных материалов в зависимости от их микроструктуры и содержание точечных дефектов, моделированию каналов нейтрализации источников пучков быстрых нейтралов, дается обзор плазменных процессов в технологии МЭМС.

Для специалистов в области микро- и наноэлектроники.

Смотри также о книге.

О книге

Параметр	Значение
Издатель	Наука
Год издания	2009
Автор(ы)	Валиев К. А., Орликовский А. А., Кокин А. А.
ISBN	978-5-02-036976-4
Размеры	70x100/16
Обложка	мягкая обложка
Язык издания	rus
Кол-во страниц	175