О книге: Введение в технологию материалов микроэлектроники. Часть 3. Эпитаксиальный рост. Учебник для вузов; Лань, 2023

Издатель: Лань
ISBN: 978-5-507-45481-5
EAN: 9785507454815
Книги: Электротехника. Электроника
ID:12477657

Рейтинг:

(0/5)

О книге

Параметр	Значение
Издатель	Лань
Автор(ы)	Александрова Ольга Анатольевна, Лебедев Андрей Олегович, Мараева Евгения Владимировна
Год издания	2023
Серия	Радиоэлектроника и приборостроение
ISBN	978-5-507-45481-5
Обложка	твердый переплёт
Кол-во страниц	216
Тип обложки	твердая
Издательство	Издательство "Лань"
Количество страниц	216
Формат	70*100/16

Сравнить цены

Последняя известная цена от 28 р. до 95 р. в 5 магазинах

В данный момент у нас нет информации о наличии данного товара в магазинах.
Вы можете поискать его на других площадках:

Магазин	Цена	Наличие
Лабиринт 5/5 ООО "ЛАБИРИНТ.РУ" ИНН: 7728644571	Заказ от 800 рублей мы привезем бесплатно!	Наличие уточняйте 21.11.2024

Яндекс.Маркет 5/5 ООО "ЯНДЕКС" ИНН: 7736207543	Кэшбэк в Яндекс.Маркет до 3.8% ✔ Промокоды на скидку	Наличие уточняйте 17.06.2024

Мегамаркет 5/5 ООО "МАРКЕТПЛЕЙС" ИНН: 9701048328	Повышенный кешбэк до 40%	Наличие уточняйте 24.12.2024

OMA BY 5/5 Информация о компании	Крупнейшая в Беларуси оптовая и розничная торговая сеть строительных материалов и инструментов

Algo BY 5/5 Информация о компании	Мы предлагаем профессиональную консультацию, вежливое обслуживание, честные цены и быструю и аккуратную доставку ✔ Промокоды на скидку

OZ BY 5/5 Информация о компании	Мы трудимся, чтобы предложить максимальный выбор: товаров, способов оплаты, вариантов доставки — и лучший сервис ✔ Промокоды на скидку

24shop BY 5/5 Информация о компании	24shop - это возможность приобрести все необходимое в одном месте

Домотехника 5/5 Информация о компании

21vek BY 5/5 Информация о компании	Быстрая доставка. Мы доставляем товар по всей Беларуси в удобное для вас время

Описание

Представлены основные виды эпитаксиальных технологий. Рассмотрено конструктивное оформление и основные параметры наиболее распространенных видов эпитаксиального роста.

Сформулированы требования к эпитаксиальным подложкам и описаны основные этапы их подготовки для эпитаксии. Рассмотрены особенности зародышеобразования в гетерогенных системах. Представлена классификация видов и механизмов эпитаксии. Структурные особенности эпитаксиальных систем классифицируются на основе бикристаллографического подхода, с привлечением понятий о метрическом и симметрийном несоответствии компонентов эпитаксиальной пары. Рассмотрена методика идентификации ориентационных соотношений в гетероэпитаксиальных системах, основные источники упругих напряжений и механизмы их релаксации.

Учебник предназначен для бакалавров, обучающихся по направлениям «Электроника и наноэлектроника» и «Нанотехнологии и микросистемная техника». Может быть полезен для аспирантов и научных сотрудников, специализирующихся в проблематике эпитаксиальных технологий.

Введение в технологию материалов микроэлектроники. Часть 3. Эпитаксиальный рост. Учебник для вузов - фото №1

Введение в технологию материалов микроэлектроники. Часть 3. Эпитаксиальный рост. Учебник для вузов - фото №2

Введение в технологию материалов микроэлектроники. Часть 3. Эпитаксиальный рост. Учебник для вузов - фото №3

Введение в технологию материалов микроэлектроники. Часть 3. Эпитаксиальный рост. Учебник для вузов - фото №4

Смотри также о книге.