Nanoscale CMOS. Innovative Materials, Modeling and Characterization; John Wiley & Sons Limited

  • Издатель: John Wiley & Sons Limited
  • ISBN: 9781118622490
  • Книги: Техническая литература
  • ID:5982868
Где купить

Цены

Последняя известная цена от 780 р. до 780 р. в 1 магазинах

В данный момент у нас нет информации о наличии данного товара в магазинах.
Вы можете поискать его на других площадках:

МагазинЦенаНаличие
Крупнейшая в Беларуси оптовая и розничная торговая сеть строительных материалов и инструментов
Мы предлагаем профессиональную консультацию, вежливое обслуживание, честные цены и быструю и аккуратную доставку
Промокоды на скидку
Мы трудимся, чтобы предложить максимальный выбор: товаров, способов оплаты, вариантов доставки — и лучший сервис
Промокоды на скидку
24shop - это возможность приобрести все необходимое в одном месте
Домотехника
5/5
Быстрая доставка. Мы доставляем товар по всей Беларуси в удобное для вас время
Промокоды на скидку
Заказ от 800 рублей мы привезем бесплатно!
Яндекс.Маркет
5/5
Промокоды на скидку

Описание

This book provides a comprehensive review of the state-of-the-art in the development of new and innovative materials, and of advanced modeling and characterization methods for nanoscale CMOS devices. Leading global industry bodies including the International Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS) have created a forecast of performance improvements that will be delivered in the foreseeable future – in the form of a roadmap that will lead to a substantial enlargement in the number of materials, technologies and device architectures used in CMOS devices. This book addresses the field of materials development, which has been the subject of a major research drive aimed at finding new ways to enhance the performance of semiconductor technologies. It covers three areas that will each have a dramatic impact on the development of future CMOS devices: global and local strained and alternative materials for high speed channels on bulk substrate and insulator; very low access resistance; and various high dielectric constant gate stacks for power scaling. The book also provides information on the most appropriate modeling and simulation methods for electrical properties of advanced MOSFETs, including ballistic transport, gate leakage, atomistic simulation, and compact models for single and multi-gate devices, nanowire and carbon-based FETs. Finally, the book presents an in-depth investigation of the main nanocharacterization techniques that can be used for an accurate determination of transport parameters, interface defects, channel strain as well as RF properties, including capacitance-conductance, improved split C-V, magnetoresistance, charge pumping, low frequency noise, and Raman spectroscopy.

Смотри также о книге.

О книге


ПараметрЗначение
Автор(ы)
ИздательJohn Wiley & Sons Limited
ISBN978-1-118-62249-0


Отзывы (0)


Зарегистрируйтесь и получайте бонусы за покупки!


Книги: Технические науки John Wiley & Sons Limited

Категория 624 р. - 936 р.

закладки (0) сравнение (0)

160 ms