Радиационные эффекты в кремниевых интегральных схемах космического применения; Лаборатория знаний, 2020

Издатель: Лаборатория знаний
ISBN: 978-5-9963-0633-6
EAN: 9785996306336
Книги: Аппаратные средства
ID:1795026

Где купить

Рейтинг:

(0/5)

Отзывы (0) Оставить отзыв

Описание Характеристики Цены Отзывы (0)

Сравнить цены

Последняя известная цена от 21 р. до 86 р. в 5 магазинах

В данный момент у нас нет информации о наличии данного товара в магазинах.
Вы можете поискать его на других площадках:

Магазин	Цена	Наличие
Лабиринт 5/5 ООО "ЛАБИРИНТ.РУ" ИНН: 7728644571	Заказ от 800 рублей мы привезем бесплатно! Кэшбэк в Лабиринт до 7%	Наличие уточняйте 12.05.2024

Яндекс.Маркет 5/5 ООО "ЯНДЕКС" ИНН: 7736207543	Кэшбэк в Яндекс.Маркет до 3.8% ✔ Промокоды на скидку	Наличие уточняйте 29.03.2024

Fk BY 5/5 Информация о компании	Более 10 лет мы занимаемся продажей компьютеров, ноутбуков и обслуживанием компьютерной техники.

OMA BY 5/5 Информация о компании	Крупнейшая в Беларуси оптовая и розничная торговая сеть строительных материалов и инструментов

OZ BY 5/5 Информация о компании	Мы трудимся, чтобы предложить максимальный выбор: товаров, способов оплаты, вариантов доставки — и лучший сервис ✔ Промокоды на скидку

Algo BY 5/5 Информация о компании	Мы предлагаем профессиональную консультацию, вежливое обслуживание, честные цены и быструю и аккуратную доставку

Домотехника 5/5 Информация о компании

21vek BY 5/5 Информация о компании	Быстрая доставка. Мы доставляем товар по всей Беларуси в удобное для вас время

24shop BY 5/5 Информация о компании	24shop - это возможность приобрести все необходимое в одном месте

Описание

В монографии анализируется влияние ионизирующих излучений (ИИ), преимущественно космического пространства, на характеристики изделий микро- и наноэлектроники. Рассмотрены: основы физики взаимодействий ИИ с полупроводниками; изменение электрофизических параметров приборных структур в результате образования наноразмерных дефектов под действием ИИ; дозовые ионизационные эффекты в структуре Si/SiC>2 и их влияние на характеристики приборов и микросхем; особенности радиационных испытаний изделий, изготовленных по МОП-, КМОП-, а также по биполярной технологии, на стойкость к воздействию низкоинтенсивного ИИ; одиночные события в изделиях микро- и наноэлектроники при воздействии отдельных заряженных частиц.Для технических специалистов, работающих в области электроники, а также для студентов и аспирантов.

Смотри также о книге.

О книге

Параметр	Значение
Переплет	Твердый переплёт
Издатель	Лаборатория знаний
Год издания	2020
Возрастные ограничения	12
Кол-во страниц	304
Автор(ы)	Таперо Константин Иванович, Улимов Виктор Николаевич, Членов Александр Михайлович
Раздел	Информационные технологии
ISBN	978-5-9963-0633-6
Количество страниц	304
Формат	60х90/16
Вес	0.38кг
Страниц	304
Переплёт	твердый
Размеры	21,50 см × 14,50 см × 1,50 см
Тематика	Аппаратные средства
Тираж	1000